氮化镓AI电源订单放量？业内预计未来几年才会爆发式增长

氮化镓功率器件在数据中心的应用，目前在小批量验证、还没完全放量，预计到2026年底的渗透率为5%-10%。

9月17日，氮化镓（GaN）板块多家上市公司股价上涨，其中参股了珠海镓未来科技有限公司1.1%的世联行（002285.SZ）、推进氮化镓器件研发的捷捷微电（300623.

SZ）的涨幅均超5%。当天有消息称，氮化镓功率器件的AI电源订单放量，成本逼近硅基器件。对此，调研机构和业内人士向第一财经记者表示，氮化镓在AI电源领域的应用，目前仍处于小批量导入阶段，其成本与硅基器件仍有差距，未来几年才会大规模替代。

第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）产业研究院相关分析人士向记者表示，在数据中心单机柜功率向兆瓦级别乃至更高功率迈进过程中，在直流高压架构下，氮化镓功率器件是AC/DC（交流-直流）、总线转换及板级电源的最优方案，目前在小批量验证、还没完全放量，预计到2026年底的渗透率为5%-10%。

上述分析人士预计，未来几年随着新AI算力中心建设、电源更新，才会迎来爆发式的增长，估计2025年至2030年氮化镓功率器件在AI电源领域的市场规模年均增速约70%。

一位业内资深人士也向记者表示，当前AI算力、服务器、数据中心对高效电源需求确实在快速提升，氮化镓凭借高效率、高功率密度优势，在AI服务器电源、机柜电源的导入进程正在全面加速，头部电源厂商已经开始小批量、批量导入GaN器件。目前AI服务器电源整体渗透率还处在提升早期，预计未来两三年内才会大规模替代。

从成本角度看，上述业内资深人士说，消费级氮化镓电源经过多年迭代，成本大幅下降，但功率级、服务器用的高压氮化镓器件，距离传统硅基MOSFET仍有明显成本差距，尚未逼近硅基器件水平。“得益于6‑8英寸产线扩产、工艺迭代，氮化镓单位芯片成本每年持续下行；但外延、良率、封装仍是主要成本瓶颈。”

上述业内资深人士认为，氮化镓功率器件短期更多是在对效率要求极高的高端场景应用，还不能与硅基器件直接比价及全场景应用。行家说第三代半导体研究总监张文灵也向记者分析说，部分国内厂商的650V规格氮化镓器件的成本已逐步追平硅器件，但100V以下成本竞争力还有待提升。未来随着8英寸和12英寸晶圆产能的释放，氮化镓成本有望进一步降低。

氮化镓企业的发力重点除了高压氮化镓外，还将转向100V以下器件的技术和供应突破，因为兆瓦级机柜的低压氮化镓器件使用量，大概是650V规格的18倍左右，单颗价值也更高。据氮化镓龙头企业英诺赛科（02577.

HK）2026年半年报，其上半年销售收入8.34亿元，同比增长50.6%；毛利率增至11.6%；上半年出货氮化镓芯片5.47亿颗，其中向AI及数据中心领域的芯片出货量同比增长183%。已加快产能扩张，目前氮化镓在数据中心的采用仍处于早期阶段，正探索与功率器件供应商或云服务提供商的合作模式。“中长期看，氮化镓有两大驱动力。”

上述业内资深人士说，一是AI算力基础设施拉动服务器电源、储能电源的氮化镓需求；二是新能源汽车、机器人电源和工业电源逐步导入。未来2‑3年，随着8英寸硅基氮化镓产线持续量产爬坡，良率进一步提升，氮化镓成本会继续下探，应用场景会从高端小众市场，逐步向更多工业、算力场景渗透。但硅器件本身也在迭代升级，二者更多是互补关系，并非简单的全面替代。