长鑫押注4F²，美光不跟：总裁称该方向“无实际收益”

美光科技总裁兼首席技术与产品官称，美光研究了4F² 20年，认为这个方向没有可行微缩路径。

美光科技（MU.O）在当地时间10月21日召开的技术研讨会上，回应了一些外界近期关心的问题。在DRAM（动态随机存取存储器）架构上，长鑫存储本月早些时候推出4F²。

该架构据称单位面积晶体管数量可比目前主流的6F²架构更多，且一定程度摆脱了工艺瓶颈，推出后受到海外关注。此次美光科技总裁兼首席技术与产品官Scott DeBoer（‌斯科特·德波尔‌）回应称，美光将沿着6F²路径并开发3D DRAM，不做4F²，理由是复杂度与成本上升。美光研究了4F² 20年，认为这个方向没有可行微缩路径，沿着这个方向没有实际收益。

“关于什么在驱动DRAM的晶圆位密度增加，外界存在一些用词上的误解。电容间距、电容尺寸和尺寸参数实际上才是决定位密度理论极限的关键。一切都围绕电容间距进行优化，在其之下可以通过4F²或6F²进行优化并适配给定的电容尺寸。

真正的关键在于，在给定的电容间距下如何优化工艺和成本。”Scott DeBoer称，部分关于4F²与6F²的比较多少有些故弄玄虚（smoke and mirrors）。

沿着6F²路径，Scott DeBoer介绍了美光的迭代路线：在1γ制程节点引入EUV（极紫外）光刻机，1δ良率在爬坡并将于2027年进入量产爬坡阶段，1ε节点正在开发并将采用晶圆键合技术，后一代将采用High-NA EUV（高数值孔径极紫外）光刻机，再往后一代还在路径探索过程中，计划采用新材料。

在1γ尺寸下，一根50微米粗的头发宽度可以排下超1500个电容，1δ节点的位密度则比1γ多了20多个百分点，可支撑差异化的HBM5、vHBM（垂直高带宽内存）、vEIM（垂直边缘推理内存）产品。从1995年到2026年，美光已推出22个DRAM制程节点。3D DRAM技术也在开发中，背景是随着DRAM在平面微缩，单元接近原子极限，必须“往上建”。

HBM也在代际演进的过程中，同步走3D、定制化的路线。美光2026年推出HBM4后，2027年~2030年计划分别推出HBM4E、HBM5、HBM5E、HBM6。从2028年到2030年，同时是vHBM1到vHBM3的迭代以及vEIM1到vEIM3的迭代。

Scott DeBoer解释，标准HBM是将存储通过中介层放在计算芯片旁边；vHBM是让存储直接堆在计算芯片上，存储到计算有最短路径；定制HBM则是与客户联合设计。在HBM定制的过程中，基底裸片定制成为关键一环。英伟达8月提出NVHBM概念，将定制的内存控制器集成到HBM基底裸片中，使内存控制器不必放在计算芯片上，以增加计算芯片可计算面积。

近日有市场消息称，英伟达要求其内存供应商采用台积电3nm制程的基底裸片为其生产NVHBM。针对定制基底裸片，Scott DeBoer表示，这是核心存储逻辑与计算逻辑汇合的地方，定制HBM将通过基底裸片上的逻辑带来差异化功能。从HBM4E起，HBM就将在JEDEC标准（设立了通用底线）的基础上做定制。

Scott DeBoer还形容了存储技术演进和需求增长的速度之快：从H100到B300，单GPU的HBM用量增长了3.6倍；参照1995年保时捷911的价格和配置，以存储的速度演进，2026年将是270万马力、价格5美元、2.3万MPG（每加仑燃油可行驶的英里数），“相当于十艘航空母舰的动力”；2026年，100颗HBM4堆栈的带宽合计约等于全球互联网总带宽。