掺硅氧化铝镓薄膜导电带隙刷新纪录

【掺硅氧化铝镓薄膜导电带隙刷新纪录】财联社10月28日电，更宽带隙的半导体，能让电子产品更小、更高效，也能承受更高电压。

但带隙越宽，材料导电性就越难控制。美国康奈尔大学领导的研究团队证明，在氧化铝镓薄膜中掺入硅，可在比以往任何半导体带隙都宽的情况下，依然保持稳定的导电调控能力。

相关论文发表于新一期《自然》杂志。