全球首款碳化硅超级结MOSFET芯片在沪诞生,上海厂商在下一代技术起跑线占得先机
历时五年联合技术攻关,率先实现前沿技术从实验室走向量产。
近日,上海瑶芯微电子正式发布全球首款碳化硅超级结MOSFET芯片。这一核心成果,源自瑶芯微电子与中国科学院院士郝跃团队在碳化硅超级结技术上的深度产学研合作。
此次全球首发,意味着中国厂商在下一代碳化硅技术竞争中,迈入从“跟随对标”走向“原创突破”的全新阶段。不仅如此,该器件将1200V碳化硅功率器件的综合性能推升至新的高度,实现了从国产替代到原研创新的重大突破。历时五年联合技术攻关,率先实现前沿技术从实验室走向量产。
近日,上海瑶芯微电子正式发布全球首款碳化硅超级结MOSFET芯片。这一核心成果,源自瑶芯微电子与中国科学院院士郝跃团队在碳化硅超级结技术上的深度产学研合作。此次全球首发,意味着中国厂商在下一代碳化硅技术竞争中,迈入从“跟随对标”走向“原创突破”的全新阶段。
不仅如此,该器件将1200V碳化硅功率器件的综合性能推升至新的高度,实现了从国产替代到原研创新的重大突破。
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